?佳能21年來首次新建光刻機工廠，欲將產能翻倍

轉載自 《中國電子報》 2022-10-09

近日，日本佳能公司表示，將投資超500億日元（約合24.6億元人民幣），在日本栃木縣宇都宮市新建半導體設備工廠，占地面積約7萬平方米，主要增產光刻設備，建成后預計產能將提高2倍。新工廠計劃于2023年開工，2025年春季投入運行，這也是佳能21年來首次擴產半導體光刻機設備。

據悉，佳能目前在宇都宮事務所和阿見事務所等2處工廠內生產半導體光刻設備，主要用于制造汽車控制等的半導體產品。市調組織SEMI的數據顯示，2022年第二季度全球半導體設備市場出貨264.3億美元，同比增長6%。為了應對需求的不斷增長，佳能一直在積極增產，今年的目標是銷售180臺光刻設備，將比2021年增加約30%。

此外，佳能還將推進新一代設備的開發。此前，全球最大的光刻機設備供應商荷蘭阿斯麥（ASML）首席技術官MartinvandenBrink表示，ASML最新研發的High-NA技術很可能將成為EUV光刻技術的終點。于是更多的企業和大學都在想方設法繞道而行，目前已經有多項技術脫穎而出。像是美國原子級精密制造工具的納米技術公司ZyvexLabs推出的光刻系統“ZyvexLitho1“，其基于STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL電子束光刻方式。此外還有多電子束直寫光刻機（MEB）、定向自組裝技術（DSA）以及納米壓印技術（NIL）等技術。

其中NIL技術也被視為是最佳替代方案。據了解，NIL技術（納米壓印微影技術）是在一個特殊的“印章”上，先刻上納米電路圖案，然后再將電路圖案“壓印”在晶圓上，就像蓋章一樣。由于沒有鏡頭，NIL技術比EUV要省錢很多。根據佳能等廠商發布的消息，NIL的耗電量可壓低至EUV生產方式的10%，設備投資也將降低至40%。

佳能與鎧俠、大日本印刷等半導體企業，從2017年就開始合作研發NIL的量產技術。目前已成功掌握15納米量產技術，鎧俠已經將NIL技術應用到了15nmNAND閃存器上，正在進行15納米以下技術研發，有望在2025年推出采用NIL技術的5nm芯片。